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金属酸化物半導体およびその製造方法、半導体素子、薄膜トランジスタ[ja]
被引：0
申请号：
JP20090547078
申请日：
2008-12-19
公开(公告)号：
JPWO2009081862A1
公开(公告)日：
2011-05-06
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L29/786
IPC分类号：
H01L21/336
H01L21/368
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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