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酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ[ja]
被引：0
申请号：
JP20160032549
申请日：
2016-02-23
公开(公告)号：
JP6376153B2
公开(公告)日：
2018-08-22
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L29/786
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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