薄膜トランジスタ[ja]

被引：0

申请号：

JP20120518222

申请日：

2011-05-23

公开(公告)号：

JPWO2011151990A1

公开(公告)日：

2013-07-25

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/336

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法律状态

法律状态信息

共 50 条

[1]

薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013108301A1 ,2015-05-11

[2]

薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009034953A1 ,2010-12-24

[3]

薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019106896A1 ,2020-11-19

[4]

薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013108300A1 ,2015-05-11

[5]

薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011039853A1 ,2013-02-21

[6]

薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013021632A1 ,2015-03-05

[7]

薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009028453A1 ,2010-12-02

[8]

薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014027618A1 ,2016-07-25

[9]

薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012002574A1 ,2013-08-29

[10]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

SAKAI TOSHIHIKO ;

HIGASHI DAISUKE ;

FUJIWARA MASAYOSHI .

日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14

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