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薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja]
被引：0
申请号：
JP20230185303
申请日：
2023-10-30
公开(公告)号：
JP2025074478A
公开(公告)日：
2025-05-14
发明(设计)人：
SAKAI TOSHIHIKO
HIGASHI DAISUKE
FUJIWARA MASAYOSHI
申请人：
NISSIN ELECTRIC CO LTD
申请人地址：
IPC主分类号：
H10D30/67
IPC分类号：
H01L21/318
H01L21/363
H10D30/01
H10D64/27
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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