薄膜トランジスタの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20150518982

申请日：

2013-06-19

公开(公告)号：

JP2015521804A

公开(公告)日：

2015-07-30

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/786

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法律状态信息

共 50 条

[1]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

SAKAI TOSHIHIKO ;

HIGASHI DAISUKE ;

FUJIWARA MASAYOSHI .

日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14

[2]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010047326A1 ,2012-03-22

[3]

薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015059850A1 ,2017-03-09

[4]

薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011027467A1 ,2013-01-31

[5]

薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015083303A1 ,2017-03-16

[6]

薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018225822A1 ,2020-05-21

[7]

薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010106920A1 ,2012-09-20

[8]

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013141197A1 ,2015-08-03

[9]

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

TODA TATSUYA .

日本专利 :JP2024099069A ,2024-07-25

[10]

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010061721A1 ,2012-04-26

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