薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20210041812

申请日：

2021-03-15

公开(公告)号：

JP2024099069A

公开(公告)日：

2024-07-25

发明(设计)人：

TODA TATSUYA

申请人：

AGC INC

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/336

代理机构：

代理人：

法律状态：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010061721A1 ,2012-04-26

[2]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

SAKAI TOSHIHIKO ;

HIGASHI DAISUKE ;

FUJIWARA MASAYOSHI .

日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14

[3]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010047326A1 ,2012-03-22

[4]

薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010106920A1 ,2012-09-20

[5]

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013141197A1 ,2015-08-03

[6]

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置および薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6234642B1 ,2017-11-22

[7]

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置および薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017158967A1 ,2018-03-29

[8]

薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

TANAKA ATSUSHI ;

TAKECHI KAZUE .

日本专利 :JP2024092934A ,2024-07-08

[9]

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタを製造する方法[ja] [P].

TODA TATSUYA .

日本专利 :JP2024099070A ,2024-07-25

[10]

薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015087466A1 ,2017-03-16

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