Te高含有量のCuCr接点の製造方法[ja]

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申请号
JP20220517470
申请日
2020-09-28
公开(公告)号
JP2022548707A
公开(公告)日
2022-11-21
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C22C1/03
IPC分类号
B22D21/00 C22C1/02 C22C9/00 H01H1/025 H01H33/664
代理机构
代理人
法律状态
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共 50 条
[1]
Te高含有量のCuCr接点の製造方法[ja] [P]. 
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[2]
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[3]
高含有量トレハロースの製造方法[ja] [P]. 
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
[8]
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[9]
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[10]
高い炭素含有量を有するケイ素含有膜の製造方法[ja] [P]. 
LEI XINJIAN ;
HAIRPIN CHANDRA ;
KIM MOO-SUNG .
日本专利 :JP2022008973A ,2022-01-14