高い炭素含有量を有するケイ素含有膜の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20210165965

申请日：

2021-10-08

公开(公告)号：

JP2022008973A

公开(公告)日：

2022-01-14

发明(设计)人：

LEI XINJIAN HAIRPIN CHANDRA KIM MOO-SUNG

申请人：

VERSUM MAT US LLC

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/316

IPC分类号：

C23C16/42 C23C16/455 C23C16/505

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日

法律状态

法律状态信息

共 50 条

[1]

高い炭素含有量を有する炭素ドープ酸化ケイ素膜および炭化ケイ素膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6999620B2 ,2022-01-18

[2]

ケイ素及び窒素を含有する膜を製造する方法[ja] [P].

HAIRPIN CHANDRA ;

LEI XINJIAN ;

KIM MOO-SUNG .

日本专利 :JP2022008961A ,2022-01-14

[3]

窒素含有量が高い窒化ケイ素膜[ja] [P].

日本专利 :JP2025004005A ,2025-01-14

[4]

窒素含有量が高い窒化ケイ素膜[ja] [P].

日本专利 :JP2023017764A ,2023-02-07

[5]

窒素含有量が高い窒化ケイ素膜[ja] [P].

日本专利 :JP7150764B2 ,2022-10-11

[6]

窒素含有量が高い窒化ケイ素膜[ja] [P].

日本专利 :JP2020526663A ,2020-08-31

[7]

炭素含有量の低い直接還元鉄を製造するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025539600A ,2025-12-05

[8]

ケイ素含有膜形成組成物、およびそれを用いたケイ素含有膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024544635A ,2024-12-03

[9]

ケイ素と酸素を含有する薄膜[ja] [P].

日本专利 :JP7341584B1 ,2023-09-11

[10]

ケイ素含有固体を粉砕する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020500807A ,2020-01-16

← 1 2 3 4 5 →