窒素含有量が高い窒化ケイ素膜[ja]

被引：0

申请号：

JP20190572455

申请日：

2018-07-05

公开(公告)号：

JP7150764B2

公开(公告)日：

2022-10-11

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C16/42

IPC分类号：

C23C16/56 H01L21/318

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共 50 条

[1]

窒素含有量が高い窒化ケイ素膜[ja] [P].

日本专利 :JP2025004005A ,2025-01-14

[2]

窒素含有量が高い窒化ケイ素膜[ja] [P].

日本专利 :JP2023017764A ,2023-02-07

[3]

窒素含有量が高い窒化ケイ素膜[ja] [P].

日本专利 :JP2020526663A ,2020-08-31

[4]

炭素含有量が調整可能な炭窒化ケイ素間隙充填[ja] [P].

日本专利 :JP2023507326A ,2023-02-22

[5]

炭素含有量が調整可能な炭窒化ケイ素間隙充填[ja] [P].

日本专利 :JP7433437B2 ,2024-02-19

[6]

炭素含有量が調整可能な炭窒化ケイ素間隙充填[ja] [P].

日本专利 :JP7745670B2 ,2025-09-29

[7]

窒化ケイ素粉末、窒化ケイ素焼結体及び回路基板、ならびに窒化ケイ素粉末の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015194552A1 ,2017-04-27

[8]

高い炭素含有量を有するケイ素含有膜の製造方法[ja] [P].

LEI XINJIAN ;

HAIRPIN CHANDRA ;

KIM MOO-SUNG .

日本专利 :JP2022008973A ,2022-01-14

[9]

窒化珪素膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP7057041B1 ,2022-04-19

[10]

窒化ケイ素スパッタリングターゲット、窒化ケイ素スパッタリングターゲットの製造方法、および、窒化ケイ素膜[ja] [P].

日本专利 :JP2022186052A ,2022-12-15

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