金属膜用研磨液及びそれを用いた半導体基板の製造方法[ja]

被引:0
申请号
JP20030525895
申请日
2002-08-08
公开(公告)号
JPWO2003021651A1
公开(公告)日
2004-12-24
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/304
IPC分类号
B24B37/00 B24B37/04 C09G1/04 C09K3/14 H01L21/306 H01L21/321
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
金属膜用研磨液及びこれを用いた研磨方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009128430A1 ,2011-08-04
[4]
[5]
半導体基板、その製造方法及び半導体の製造方法[ja] [P]. 
TAMAURA YUTAKA ;
KAWAMOTO TADASHI .
日本专利 :JP2024156216A ,2024-11-01
[6]
[7]
[9]
金属膜用研磨液及び研磨方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5741738B2 ,2015-07-01
[10]
金属膜用研磨液及び研磨方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009008431A1 ,2010-09-09