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金属膜用研磨液及びそれを用いた半導体基板の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20030525895
申请日
:
2002-08-08
公开(公告)号
:
JPWO2003021651A1
公开(公告)日
:
2004-12-24
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/304
IPC分类号
:
B24B37/00
B24B37/04
C09G1/04
C09K3/14
H01L21/306
H01L21/321
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
金属膜用研磨液及びこれを用いた研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009128430A1
,2011-08-04
[2]
金属膜研磨用パッドおよびそれを用いる金属膜の研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008120578A1
,2010-07-15
[3]
配線基板、配線基板を用いた半導体装置、及びそれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008001915A1
,2009-12-03
[4]
成膜装置、及びそれを用いた金属膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7092056B2
,2022-06-28
[5]
半導体基板、その製造方法及び半導体の製造方法[ja]
[P].
TAMAURA YUTAKA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
QD JAPAN CO LTD
QD JAPAN CO LTD
TAMAURA YUTAKA
;
KAWAMOTO TADASHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
QD JAPAN CO LTD
QD JAPAN CO LTD
KAWAMOTO TADASHI
.
日本专利
:JP2024156216A
,2024-11-01
[6]
金属膜研磨用パッドおよびそれを用いた研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5997973B2
,2016-09-28
[7]
電極、その製造方法およびそれを用いた半導体素子[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2005057641A1
,2007-07-05
[8]
メッキ金属膜基板とその製造方法、及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5766432B2
,2015-08-19
[9]
金属膜用研磨液及び研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5741738B2
,2015-07-01
[10]
金属膜用研磨液及び研磨方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009008431A1
,2010-09-09
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