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半導体装置、該半導体装置の作製方法、または該半導体装置を有する表示装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170551394
申请日
:
2016-11-10
公开(公告)号
:
JPWO2017085595A1
公开(公告)日
:
2018-09-20
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
G09F9/30
H01L21/28
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置、及び該半導体装置を有する表示装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017130073A1
,2018-11-15
[2]
酸化物半導体膜、該酸化物半導体膜を有する半導体装置、及び該半導体装置を有する表示装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016139556A1
,2018-01-11
[3]
半導体装置、該半導体装置を有する表示装置、及び該半導体装置を有する電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017085591A1
,2018-09-06
[4]
半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011162177A1
,2013-08-22
[5]
半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011024770A1
,2013-01-31
[6]
複合酸化物半導体、当該複合酸化物半導体を用いた半導体装置、当該半導体装置を有する表示装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017168283A1
,2019-02-07
[7]
半導体装置、半導体装置の作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018178793A1
,2020-02-06
[8]
半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013153777A1
,2015-12-17
[9]
半導体装置、及び該半導体装置を有する電子機器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017033082A1
,2018-07-05
[10]
半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja]
[P].
YAMAZAKI SHUNPEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD
YAMAZAKI SHUNPEI
.
日本专利
:JP2023001235A
,2023-01-04
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