半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20110528782

申请日：

2010-08-24

公开(公告)号：

JPWO2011024770A1

公开(公告)日：

2013-01-31

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

G02F1/1368 H01L21/28 H01L21/336 H01L29/417

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共 50 条

[1]

半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置、半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011162177A1 ,2013-08-22

[2]

半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013153777A1 ,2015-12-17

[3]

配線層、半導体装置、半導体装置を有する液晶表示装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011052471A1 ,2013-03-21

[4]

半導体装置、半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025144693A ,2025-10-03

[5]

半導体装置、該半導体装置の作製方法、または該半導体装置を有する表示装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017085595A1 ,2018-09-20

[6]

半導体装置、及び該半導体装置を有する表示装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017130073A1 ,2018-11-15

[7]

酸化物半導体膜、該酸化物半導体膜を有する半導体装置、及び該半導体装置を有する表示装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016139556A1 ,2018-01-11

[8]

半導体装置、半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025146038A ,2025-10-03

[9]

半導体装置、半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018178793A1 ,2020-02-06

[10]

半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

KABUYANAGI SHOICHI ;

SUGIZAKI TAKESHI ;

FUJII AKISUKE .

日本专利 :JP2023180904A ,2023-12-21

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