磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja]

被引:0
申请号
JP20140050849
申请日
2014-03-13
公开(公告)号
JP6054326B2
公开(公告)日
2016-12-27
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/8246
IPC分类号
H01L27/105 H01L29/82 H10N50/01 H10N50/10 H10N50/80
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
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磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6411186B2 ,2018-10-24
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磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6180972B2 ,2017-08-16
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磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6119051B2 ,2017-04-26
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磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5761788B2 ,2015-08-12
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磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6498968B2 ,2019-04-10
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磁気抵抗素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6135018B2 ,2017-05-31
[7]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5722137B2 ,2015-05-20
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磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5814680B2 ,2015-11-17
[9]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6126565B2 ,2017-05-10
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磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6427396B2 ,2018-11-21