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磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110146718
申请日
:
2011-06-30
公开(公告)号
:
JP5722137B2
公开(公告)日
:
2015-05-20
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/8246
IPC分类号
:
H01L27/105
H01L29/82
H10N50/10
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP5814680B2
,2015-11-17
[2]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP6126565B2
,2017-05-10
[3]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP6427396B2
,2018-11-21
[4]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011121777A1
,2013-07-04
[5]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP5701701B2
,2015-04-15
[6]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP5722140B2
,2015-05-20
[7]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP5680045B2
,2015-03-04
[8]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP6679455B2
,2020-04-15
[9]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP6137744B2
,2017-05-31
[10]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP5728311B2
,2015-06-03
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