磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja]

被引:0
申请号
JP20130051933
申请日
2013-03-14
公开(公告)号
JP6137744B2
公开(公告)日
2017-05-31
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/8246
IPC分类号
H01L27/105 H01L29/82 H10N50/10
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5722137B2 ,2015-05-20
[2]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5814680B2 ,2015-11-17
[3]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6126565B2 ,2017-05-10
[4]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6427396B2 ,2018-11-21
[5]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011121777A1 ,2013-07-04
[6]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5701701B2 ,2015-04-15
[7]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5722140B2 ,2015-05-20
[8]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5680045B2 ,2015-03-04
[9]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP6679455B2 ,2020-04-15
[10]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5728311B2 ,2015-06-03