層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20090528143

申请日：

2008-08-14

公开(公告)号：

JPWO2009022718A1

公开(公告)日：

2010-11-18

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/312

IPC分类号：

H01L21/768 H01L23/522

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

積層膜構造および積層膜構造の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6917587B1 ,2021-08-11

[2]

配線基板とその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014073085A1 ,2016-09-08

[3]

多層基板構造およびその製造方法とシステム[ja] [P].

日本专利 :JP2015526368A ,2015-09-10

[4]

電極構造、半導体素子、およびそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007007634A1 ,2009-01-29

[5]

電極構造、半導体素子、およびそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008081566A1 ,2010-04-30

[6]

多層膜および多層膜の製造方法[ja] [P].

AMAZUTSUMI KOJI ;

OKIKAWA MITSURU ;

ANDO HIROYUKI ;

KATO YUJI ;

OTA SATORU .

日本专利 :JP2024034556A ,2024-03-13

[7]

積層膜および積層膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019044444A1 ,2020-02-27

[8]

多層膜の製造方法および多層膜[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015137198A1 ,2017-04-06

[9]

脱水素触媒およびその製造方法およびそれらの使用[ja] [P].

日本专利 :JP2021511199A ,2021-05-06

[10]

配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびそれらの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005031681A1 ,2007-11-15

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