極めて均一性が高い加熱基板支持アセンブリ[ja]

被引：0

申请号：

JP20210179166

申请日：

2021-11-02

公开(公告)号：

JP2022020732A

公开(公告)日：

2022-02-01

发明(设计)人：

DAVID BENJAMINSON VIJAY D PARKHE ONKARA SWAMY KORA SIDDARAMAIAH KIRBY H FLOYD JUSTIN WANG MEHMET TUGRUL SAMIR DMITRY LUBOMIRSKY

申请人：

APPLIED MATERIALS INC

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/683

IPC分类号：

H01L21/3065 H01L21/31 H02N13/00 H05B3/74

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 12 条

[1]

極めて均一性が高い加熱基板支持アセンブリ[ja] [P].

日本专利 :JP2021525454A ,2021-09-24

[2]

加工物を保持及び加熱する装置、加工物を加熱する方法及びリングヒータアセンブリ[ja] [P].

日本专利 :JP6783235B2 ,2020-11-11

[3]

一体型の支持体と加工物とを含むアセンブリ[ja] [P].

日本专利 :JP6373310B2 ,2018-08-15

[4]

成形型の温度を管理するためのアセンブリおよび方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016508908A ,2016-03-24

[5]

イオン注入システムにおける抽出電極アッセンブリの電圧変調[ja] [P].

日本专利 :JP2016524277A ,2016-08-12

[6]

アフォーカルビーム調整アセンブリを用いて透明被加工物をレーザ加工するための装置及び方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020531392A ,2020-11-05

[7]

回転機械加工デバイスと共に使用するための軸受アセンブリ[ja] [P].

日本专利 :JP2016532832A ,2016-10-20

[8]

ワークピースの温度均一性を改善するためのハイブリッド高温静電クランプ[ja] [P].

日本专利 :JP2023548296A ,2023-11-16

[9]

被加工物を電解処理するための電極ならびに装置、装置のセルを形成するためのアセンブリ、方法、およびコンピュータプログラム[ja] [P].

日本专利 :JP7747642B2 ,2025-10-01

[10]

被加工物を電解処理するための電極ならびに装置、装置のセルを形成するためのアセンブリ、方法、およびコンピュータプログラム[ja] [P].

日本专利 :JP2023512815A ,2023-03-29

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