ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成型体の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20130156440

申请日：

2013-07-29

公开(公告)号：

JP5744980B2

公开(公告)日：

2015-07-08

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

B28B3/00

IPC分类号：

C01G9/08 C23C14/34

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共 50 条

[1]

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の製造方法、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体蛍光体の製造方法、および六方晶ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009099250A1 ,2011-06-02

[2]

高密度ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体成型体及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009028642A1 ,2010-12-02

[3]

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体多結晶の合成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011122301A1 ,2013-07-08

[4]

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5678874B2 ,2015-03-04

[5]

化合物半導体の製造装置及び化合物半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5644256B2 ,2014-12-24

[6]

化合物半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7185996B2 ,2022-12-08

[7]

化合物半導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5676004B2 ,2015-02-25

[8]

ＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019224966A1 ,2020-05-28

[9]

ＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6509455B1 ,2019-05-08

[10]

化合物半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5712471B2 ,2015-05-07

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