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酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130509864
申请日
:
2012-04-05
公开(公告)号
:
JPWO2012141066A1
公开(公告)日
:
2014-07-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L29/786
IPC分类号
:
C23C14/08
C23C14/34
H01L21/363
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012165047A1
,2015-02-23
[2]
酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP5881681B2
,2016-03-09
[3]
酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP5813763B2
,2015-11-17
[4]
酸化物材料、及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007034749A1
,2009-03-26
[5]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP7550893B2
,2024-09-13
[6]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP2023041776A
,2023-03-24
[7]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP7218481B2
,2023-02-06
[8]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6957815B2
,2021-11-02
[9]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6212869B2
,2017-10-18
[10]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6859837B2
,2021-04-14
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