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スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230009644
申请日
:
2023-01-25
公开(公告)号
:
JP7550893B2
公开(公告)日
:
2024-09-13
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
C04B35/01
H01L21/203
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP2023041776A
,2023-03-24
[2]
スパッタリングターゲット材及び酸化物半導体[ja]
[P].
日本专利
:JP7218481B2
,2023-02-06
[3]
酸化物スパッタリングターゲット材[ja]
[P].
日本专利
:JP6731147B2
,2020-07-29
[4]
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6557750B1
,2019-08-07
[5]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6957815B2
,2021-11-02
[6]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6212869B2
,2017-10-18
[7]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6859837B2
,2021-04-14
[8]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6961925B2
,2021-11-05
[9]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017188299A1
,2018-05-10
[10]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6850981B2
,2021-03-31
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