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酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170545433
申请日
:
2017-04-26
公开(公告)号
:
JPWO2017188299A1
公开(公告)日
:
2018-05-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C04B35/01
IPC分类号
:
C23C14/08
C23C14/34
H01L21/363
H01L29/786
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜[ja]
[P].
日本专利
:JP6266853B1
,2018-01-24
[2]
酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜[ja]
[P].
日本专利
:JP6023920B1
,2016-11-09
[3]
酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016136855A1
,2017-04-27
[4]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜[ja]
[P].
日本专利
:JP5735190B1
,2015-06-17
[5]
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、酸化物半導体膜及び薄膜トランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP6917880B2
,2021-08-11
[6]
酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155301A1
,2019-12-12
[7]
酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018143005A1
,2019-11-21
[8]
酸化物半導体膜、薄膜トランジスタ、酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6956748B2
,2021-11-02
[9]
酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010032422A1
,2012-02-02
[10]
酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6582698B2
,2019-10-02
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