チタン及びシリコン含有リソグラフィー用薄膜形成組成物[ja]

被引：0

申请号：

JP20130524753

申请日：

2012-07-20

公开(公告)号：

JPWO2013012068A1

公开(公告)日：

2015-02-23

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

G03F7/11

IPC分类号：

C08G79/00 H01L21/027

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共 50 条

[1]

リソグラフィー用組成物及びパターン形成方法[ja] [P].

DAIMATSU TEI ;

MATSUMOTO MASAHIRO ;

SATO TAKASHI ;

ECHIGO MASATOSHI .

日本专利 :JP2025087802A ,2025-06-10

[2]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020105694A1 ,2021-02-15

[3]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020004316A1 ,2021-08-02

[4]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020105692A1 ,2021-10-14

[5]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020039966A1 ,2021-08-26

[6]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018212116A1 ,2020-03-12

[7]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023010747A ,2023-01-20

[8]

シリコン含有薄膜形成用シリコン含有化合物、及びシリコン含有薄膜の形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP7156999B2 ,2022-10-19

[9]

リソグラフィー用膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用膜、パターン形成方法及び精製方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015170736A1 ,2017-04-20

[10]

リソグラフィー用組成物、パターン形成方法、及び化合物[ja] [P].

日本专利 :JP7297256B2 ,2023-06-26

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