単結晶シリコンの抵抗率測定方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20190118631

申请日：

2019-06-26

公开(公告)号：

JP7172878B2

公开(公告)日：

2022-11-16

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

C30B29/06 G01N27/04 H01L21/304

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法律状态信息

共 50 条

[1]

シリコン単結晶の抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7552942B1 ,2024-09-18

[2]

シリコン単結晶の抵抗率測定方法[ja] [P].

MIHARA KEISUKE ;

YAZAWA SHIGERU ;

OZEKI MASAAKI ;

TANAKA YUKI .

日本专利 :JP2025116385A ,2025-08-08

[3]

シリコン単結晶の抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7172747B2 ,2022-11-16

[4]

原料結晶の抵抗率の測定方法及びＦＺシリコン単結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7240827B2 ,2023-03-16

[5]

原料結晶の抵抗率の測定方法及びＦＺシリコン単結晶の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7067267B2 ,2022-05-16

[6]

シリコン単結晶の炭素濃度測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6098891B2 ,2017-03-22

[7]

単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6662330B2 ,2020-03-11

[8]

シリコン単結晶基板の酸素濃度測定方法及びシリコン単結晶基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6607525B2 ,2019-11-20

[9]

シリコン結晶の炭素濃度測定方法、シリコン結晶の炭素関連準位測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6300104B2 ,2018-03-28

[10]

シリコン結晶の炭素濃度測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6646876B2 ,2020-02-14

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