シリコン単結晶基板の酸素濃度測定方法及びシリコン単結晶基板の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20160219930

申请日：

2016-11-10

公开(公告)号：

JP6607525B2

公开(公告)日：

2019-11-20

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IPC主分类号：

H01L21/66

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共 50 条

[1]

シリコン単結晶の炭素濃度測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6098891B2 ,2017-03-22

[2]

単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6662330B2 ,2020-03-11

[3]

単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7230746B2 ,2023-03-01

[4]

シリコン単結晶の炭素濃度測定方法及び装置[ja] [P].

日本专利 :JP6950639B2 ,2021-10-13

[5]

シリコン単結晶の抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7552942B1 ,2024-09-18

[6]

単結晶シリコンの抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7172878B2 ,2022-11-16

[7]

シリコン単結晶の抵抗率測定方法[ja] [P].

MIHARA KEISUKE ;

YAZAWA SHIGERU ;

OZEKI MASAAKI ;

TANAKA YUKI .

日本专利 :JP2025116385A ,2025-08-08

[8]

シリコン単結晶の抵抗率測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP7172747B2 ,2022-11-16

[9]

シリコン結晶の窒素濃度測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6638888B2 ,2020-01-29

[10]

シリコン結晶の炭素濃度測定方法[ja] [P].

日本专利 :JP6646876B2 ,2020-02-14

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