マルチビームアンテナアレイアセンブリのためのメタマテリアルに基づくトランスミットアレイ[ja]

被引：0

申请号：

JP20180510433

申请日：

2016-07-15

公开(公告)号：

JP2018529278A

公开(公告)日：

2018-10-04

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01Q15/06

IPC分类号：

H01Q19/06

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共 50 条

[1]

トランジスタ、トランジスタのアレイ、コンデンサと高さ方向に延伸するトランジスタと個別に含むメモリセルのアレイ、及びトランジスタのアレイを形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021523555A ,2021-09-02

[2]

車両の充電インレットアセンブリ用の充電端子[ja] [P].

日本专利 :JP2025003387A ,2025-01-09

[3]

３次元メモリデバイスのスルーアレイコンタクト（ＴＡＣ）[ja] [P].

日本专利 :JP2021520647A ,2021-08-19

[4]

発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ用のセラミックキャリア及びビルドアップキャリア[ja] [P].

日本专利 :JP2023510760A ,2023-03-15

[5]

メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024543564A ,2024-11-21

[6]

メモリセルのストリングを含むメモリアレイ及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023527517A ,2023-06-29

[7]

メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024531173A ,2024-08-29

[8]

エタノールアミンおよび／またはエチレンアミンの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020514255A ,2020-05-21

[9]

有機薄膜トランジスタ、その製造方法、アクティブマトリクスアレイおよび画像表示装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019078267A1 ,2020-09-24

[10]

メモリアレイ及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023500438A ,2023-01-06

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