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発光ダイオード(LED)アレイ用のセラミックキャリア及びビルドアップキャリア[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220541872
申请日
:
2021-01-07
公开(公告)号
:
JP2023510760A
公开(公告)日
:
2023-03-15
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L33/62
IPC分类号
:
F21S41/153
F21S41/663
F21V19/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
3Dメモリセル、アレイアーキテクチャ及びプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2025528824A
,2025-09-02
[2]
擬似モノリシックダイアーキテクチャ[ja]
[P].
日本专利
:JP2025528692A
,2025-09-02
[3]
フリップチップマイクロ発光ダイオード[ja]
[P].
日本专利
:JP2023551308A
,2023-12-07
[4]
マルチビームアンテナアレイアセンブリのためのメタマテリアルに基づくトランスミットアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2018529278A
,2018-10-04
[5]
薄型基板のための携帯用静電チャックキャリア[ja]
[P].
日本专利
:JP3199713U
,2015-09-10
[6]
メモリセル及びメモリセルアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2025172973A
,2025-11-26
[7]
発光画素領域を有する発光ダイオードアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2024539100A
,2024-10-28
[8]
フリップチップマイクロ発光ダイオードを製造する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023551309A
,2023-12-07
[9]
マイクロ発光ダイオード(LED)デバイスとのハイブリッドボンディング[ja]
[P].
日本专利
:JP2025501620A
,2025-01-22
[10]
ハイパワーデバイスの熱管理用ダイヤモンドエアブリッジ[ja]
[P].
日本专利
:JP2020517119A
,2020-06-11
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