３Ｄメモリセル、アレイアーキテクチャ及びプロセス[ja]

被引：0

申请号：

JP20250508496

申请日：

2023-05-02

公开(公告)号：

JP2025528824A

公开(公告)日：

2025-09-02

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10B43/20 H10B43/30 H10B51/20 H10B61/00 H10B63/00 H10B63/10 H10D30/01 H10N50/20 H10N70/20

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

メモリセル及びメモリセルアレイ[ja] [P].

日本专利 :JP2025172973A ,2025-11-26

[2]

３Ｄセル及びアレイ構造体並びにプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2025535314A ,2025-10-24

[3]

発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ用のセラミックキャリア及びビルドアップキャリア[ja] [P].

日本专利 :JP2023510760A ,2023-03-15

[4]

擬似モノリシックダイアーキテクチャ[ja] [P].

日本专利 :JP2025528692A ,2025-09-02

[5]

３Ｄメモリデバイス及び３Ｄメモリデバイスを形成するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022501828A ,2022-01-06

[6]

メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024543564A ,2024-11-21

[7]

メモリセルのストリングを含むメモリアレイ及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023527517A ,2023-06-29

[8]

メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024531173A ,2024-08-29

[9]

メモリアレイ及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023500438A ,2023-01-06

[10]

個々のメモリセルが読み出し、プログラミング、及び消去される３ゲートフラッシュメモリセルアレイ[ja] [P].

日本专利 :JP2019519124A ,2019-07-04

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