３Ｄセル及びアレイ構造体並びにプロセス[ja]

被引：0

申请号：

JP20250522116

申请日：

2023-10-18

公开(公告)号：

JP2025535314A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10D30/67 H10D86/40

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共 50 条

[1]

３Ｄメモリセル、アレイアーキテクチャ及びプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2025528824A ,2025-09-02

[2]

メモリセル及びメモリセルアレイ[ja] [P].

日本专利 :JP2025172973A ,2025-11-26

[3]

薄膜構造体、及び薄膜構造体の製造方法、並びに半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016152462A1 ,2017-09-28

[4]

ピクセル化ディスプレイ用多層構造体を形成する方法およびピクセル化ディスプレイ用多層構造体[ja] [P].

JIANG LI ;

LEE KIAN KENNETH ENG ;

CHUA SOO JIN ;

EUGENE A FITZGERALD ;

CHIAH SIAU BEN ;

JOSEPH SYLVESTER CHANG ;

QU YONG ;

SHU WEI ;

LEE KWANG HONG ;

WANG BING .

日本专利 :JP2022058584A ,2022-04-12

[5]

ピクセル化ディスプレイ用多層構造体を形成する方法およびピクセル化ディスプレイ用多層構造体[ja] [P].

日本专利 :JP2020507107A ,2020-03-05

[6]

３Ｄ集積化プロセスにおいて材料の層を転写する方法ならびに関連する構造体およびデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2014531768A ,2014-11-27

[7]

セルロース前駆体材料並びに前駆体をセルロース断熱材に現地で変換するための装置及び方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024546716A ,2024-12-26

[8]

ホール集積センサおよびその製造プロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2022540164A ,2022-09-14

[9]

コア／シェルナノ粒子の製造プロセス及びコア／シェルナノ粒子[ja] [P].

日本专利 :JP2015533630A ,2015-11-26

[10]

ナノセルロース分散濃縮物及びマスターバッチ、これらの製造及び使用方法、並びにナノセルロース含有複合体[ja] [P].

日本专利 :JP2022532275A ,2022-07-14

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