３Ｄ集積化プロセスにおいて材料の層を転写する方法ならびに関連する構造体およびデバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20140532486

申请日：

2012-08-13

公开(公告)号：

JP2014531768A

公开(公告)日：

2014-11-27

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/265 H01L27/12

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共 50 条

[1]

結晶半導体材料の薄層を設ける方法、ならびに関連する構造体およびデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2015515122A ,2015-05-21

[2]

結晶半導体材料の薄層を設ける方法、ならびに関連する構造体およびデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6193271B2 ,2017-09-06

[3]

半導体特性を有する化合物、ならびに関連する組成物およびデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2015502937A ,2015-01-29

[4]

生体材料およびそれに関連する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022522247A ,2022-04-14

[5]

異方特性を有する電子および光電子デバイス、ならびにそれらを製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020523778A ,2020-08-06

[6]

３次元ＮＡＮＤメモリ構造体におけるトンネル酸化物層形成の方法および関連するデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2017509149A ,2017-03-30

[7]

半導体デバイスにおける寄生通電の除去に関するデバイス、システム及び方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015534729A ,2015-12-03

[8]

３Ｄセル及びアレイ構造体並びにプロセス[ja] [P].

日本专利 :JP2025535314A ,2025-10-24

[9]

集積化ガスセンサ及びそれに関連する製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016537654A ,2016-12-01

[10]

周期的堆積プロセスによって基材の誘電体表面上にモリブデン金属膜を堆積させる方法および関連する半導体デバイス構造[ja] [P].

BHUSHAN ZOPE ;

SHANKAR SWAMINATHAN ;

KIRAN SHRESTHA ;

ZHU CHIYU ;

HENRI TUOMAS ANTERO JUSSILA ;

XIE QI .

日本专利 :JP2024161046A ,2024-11-15

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