周期的堆積プロセスによって基材の誘電体表面上にモリブデン金属膜を堆積させる方法および関連する半導体デバイス構造[ja]

被引：0

申请号：

JP20240140796

申请日：

2024-08-22

公开(公告)号：

JP2024161046A

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

BHUSHAN ZOPE SHANKAR SWAMINATHAN KIRAN SHRESTHA ZHU CHIYU HENRI TUOMAS ANTERO JUSSILA XIE QI

申请人：

ASM IP HOLDING BV

申请人地址：

IPC主分类号：

C23C16/08

IPC分类号：

H01L21/285

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

周期的堆積プロセスによって基材の誘電体表面上にモリブデン金属膜を堆積させる方法および関連する半導体デバイス構造[ja] [P].

日本专利 :JP7547037B2 ,2024-09-09

[2]

日本专利 :JP7422971B2 ,2024-01-29

[3]

３Ｄ集積化プロセスにおいて材料の層を転写する方法ならびに関連する構造体およびデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2014531768A ,2014-11-27

[4]

半導体デバイス、トランジスタ、および金属酸化物半導体デバイスを接触させるための関連する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2020532854A ,2020-11-12

[5]

半導体デバイスを製造する方法およびその半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2022550015A ,2022-11-30

[6]

半導体デバイス構造、および、当該半導体デバイス構造を形成する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025128059A ,2025-09-02

[7]

半導体デバイスにおける寄生通電の除去に関するデバイス、システム及び方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015534729A ,2015-12-03

[8]

結晶半導体材料の薄層を設ける方法、ならびに関連する構造体およびデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2015515122A ,2015-05-21

[9]

結晶半導体材料の薄層を設ける方法、ならびに関連する構造体およびデバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6193271B2 ,2017-09-06

[10]

タングステン膜又はモリブデン膜を堆積させるための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022504527A ,2022-01-13

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