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３次元ＮＡＮＤメモリ構造体におけるトンネル酸化物層形成の方法および関連するデバイス[ja]
被引：0
申请号：
JP20160550508
申请日：
2015-02-27
公开(公告)号：
JP2017509149A
公开(公告)日：
2017-03-30
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L27/115
H01L29/788
H01L29/792
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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