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金属浮遊ゲート複合3次元NANDメモリデバイスおよび関連する方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20160526285
申请日
:
2014-11-17
公开(公告)号
:
JP2016541111A
公开(公告)日
:
2016-12-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/8247
IPC分类号
:
H01L21/336
H01L27/115
H01L29/788
H01L29/792
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
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法律状态信息
共 50 条
[1]
3次元NANDメモリ構造体におけるトンネル酸化物層形成の方法および関連するデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2017509149A
,2017-03-30
[2]
3次元メモリデバイス及び方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022159383A
,2022-10-17
[3]
メモリデバイス及びメモリデバイスを形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023510877A
,2023-03-15
[4]
3Dメモリデバイス及び3Dメモリデバイスを形成するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022501828A
,2022-01-06
[5]
3次元メモリデバイスのスルーアレイコンタクト(TAC)[ja]
[P].
日本专利
:JP2021520647A
,2021-08-19
[6]
マイクロ電子デバイスを形成する方法、並びに関連するマイクロ電子デバイス、メモリデバイス、及び電子システム[ja]
[P].
日本专利
:JP2024545632A
,2024-12-10
[7]
マイクロ電子デバイスを形成する方法並びに関連するマイクロ電子デバイス、メモリデバイス、及び電子システム[ja]
[P].
日本专利
:JP2022551951A
,2022-12-14
[8]
マイクロ電子デバイス、及び関連する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022508345A
,2022-01-19
[9]
半導体デバイス、トランジスタ、および金属酸化物半導体デバイスを接触させるための関連する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020532854A
,2020-11-12
[10]
NANDメモリ・アレイ、半導体チャネル材料及び窒素を含むデバイス、並びにNANDメモリ・アレイを形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020526924A
,2020-08-31
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