金属浮遊ゲート複合3次元NANDメモリデバイスおよび関連する方法[ja]

被引:0
申请号
JP20160526285
申请日
2014-11-17
公开(公告)号
JP2016541111A
公开(公告)日
2016-12-28
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/8247
IPC分类号
H01L21/336 H01L27/115 H01L29/788 H01L29/792
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[2]
3次元メモリデバイス及び方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022159383A ,2022-10-17
[3]
[8]
マイクロ電子デバイス、及び関連する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022508345A ,2022-01-19