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メモリセル及びメモリセルアレイ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20250152077
申请日
:
2025-09-12
公开(公告)号
:
JP2025172973A
公开(公告)日
:
2025-11-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10B12/00
IPC分类号
:
H10B41/70
H10D30/67
H10D84/80
H10D86/40
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
メモリセル、集積構造およびメモリアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2020504458A
,2020-02-06
[2]
メモリセルおよびメモリセルの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015508226A
,2015-03-16
[3]
メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024543564A
,2024-11-21
[4]
メモリセルのストリングを含むメモリアレイ及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023527517A
,2023-06-29
[5]
メモリセルのストリングを含むメモリアレイ、及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2024531173A
,2024-08-29
[6]
メモリアレイ及びメモリセルのストリングを含むメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023500438A
,2023-01-06
[7]
不揮発性メモリ・セル、不揮発性メモリ・セル・アレイ、及びこれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022537312A
,2022-08-25
[8]
メモリセル及びその製造方法、メモリ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023535101A
,2023-08-16
[9]
抵抗スイッチングメモリセル[ja]
[P].
日本专利
:JP2019509619A
,2019-04-04
[10]
3Dメモリセル、アレイアーキテクチャ及びプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2025528824A
,2025-09-02
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