学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
メモリセル、集積構造およびメモリアレイ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20190538174
申请日
:
2017-12-29
公开(公告)号
:
JP2020504458A
公开(公告)日
:
2020-02-06
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10B41/35
IPC分类号
:
H10B43/27
H01L21/336
H01L29/788
H01L29/792
H10B41/27
H10B41/41
H10B41/50
H10B43/35
H10B43/50
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
メモリセル及びメモリセルアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2025172973A
,2025-11-26
[2]
メモリセルおよびメモリセルの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015508226A
,2015-03-16
[3]
メモリセル、製造方法、半導体デバイス構造、及びメモリシステム[ja]
[P].
日本专利
:JP2016515304A
,2016-05-26
[4]
メモリセル及びその製造方法、メモリ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023535101A
,2023-08-16
[5]
メモリセル、半導体デバイスおよび製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017535073A
,2017-11-24
[6]
メモリアレイ及びメモリアレイを形成することに使用される方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022519701A
,2022-03-24
[7]
不揮発性メモリ・セル、不揮発性メモリ・セル・アレイ、及びこれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022537312A
,2022-08-25
[8]
抵抗スイッチングメモリセル[ja]
[P].
日本专利
:JP2019509619A
,2019-04-04
[9]
メモリセル、製造方法、半導体デバイス、メモリシステムおよび電子システム[ja]
[P].
日本专利
:JP2016534576A
,2016-11-04
[10]
抵抗変化型メモリ装置、不揮発性メモリ装置、およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009072213A1
,2011-04-21
←
1
2
3
4
5
→