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メモリセルおよびメモリセルの形成方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140553302
申请日
:
2012-12-20
公开(公告)号
:
JP2015508226A
公开(公告)日
:
2015-03-16
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10B69/00
IPC分类号
:
H01L45/00
H01L49/00
H10B99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
メモリセル及びメモリセルアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2025172973A
,2025-11-26
[2]
メモリセル、集積構造およびメモリアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2020504458A
,2020-02-06
[3]
メモリセル及びその製造方法、メモリ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023535101A
,2023-08-16
[4]
抵抗変化型不揮発性記憶装置およびメモリセルの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011052239A1
,2013-03-14
[5]
メモリセル、半導体デバイスおよび製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2017535073A
,2017-11-24
[6]
抵抗スイッチングメモリセル[ja]
[P].
日本专利
:JP2019509619A
,2019-04-04
[7]
不揮発性メモリ・セル、不揮発性メモリ・セル・アレイ、及びこれらの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022537312A
,2022-08-25
[8]
抵抗変化型メモリ(RRAM)セルフィラメントの電流形成[ja]
[P].
日本专利
:JP2019527910A
,2019-10-03
[9]
メモリセル、製造方法、半導体デバイス構造、及びメモリシステム[ja]
[P].
日本专利
:JP2016515304A
,2016-05-26
[10]
メモリセル、製造方法、半導体デバイス、メモリシステムおよび電子システム[ja]
[P].
日本专利
:JP2016534576A
,2016-11-04
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