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抵抗変化型メモリ（ＲＲＡＭ）セルフィラメントの電流形成[ja]
被引：0
申请号：
JP20190503910
申请日：
2017-05-17
公开(公告)号：
JP2019527910A
公开(公告)日：
2019-10-03
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
G11C13/00
IPC分类号：
H01L45/00
H10B99/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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