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酸化物抵抗変化型メモリ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20210502462
申请日
:
2019-07-18
公开(公告)号
:
JP2021532577A
公开(公告)日
:
2021-11-25
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10B99/00
IPC分类号
:
H01L21/336
H01L21/8234
H01L27/06
H01L27/088
H01L29/78
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
酸化物抵抗変化型メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP7315651B2
,2023-07-26
[2]
抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006013819A1
,2008-05-01
[3]
抵抗変化型メモリ装置、不揮発性メモリ装置、およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009072213A1
,2011-04-21
[4]
抵抗変化型メモリ(RRAM)セルフィラメントの電流形成[ja]
[P].
日本专利
:JP2019527910A
,2019-10-03
[5]
抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009104229A1
,2011-06-16
[6]
抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011007538A1
,2012-12-20
[7]
抵抗変化型記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013137262A1
,2015-08-03
[8]
抵抗変化型ランダムアクセスメモリセルにおける酸化物メモリエレメントを接続する希土類金属及び金属酸化物電極[ja]
[P].
日本专利
:JP2017535050A
,2017-11-24
[9]
抵抗変化型ランダムアクセスメモリセルにおける酸化物メモリエレメントを接続する希土類金属及び金属酸化物電極[ja]
[P].
日本专利
:JP6642839B2
,2020-02-12
[10]
メリライト型複合酸化物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019065285A1
,2020-08-06
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