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抵抗変化型ランダムアクセスメモリセルにおける酸化物メモリエレメントを接続する希土類金属及び金属酸化物電極[ja]
被引:0
申请号
:
JP20170510341
申请日
:
2014-09-25
公开(公告)号
:
JP6642839B2
公开(公告)日
:
2020-02-12
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/8239
IPC分类号
:
H01L21/316
H01L27/105
H10N99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
抵抗変化型ランダムアクセスメモリセルにおける酸化物メモリエレメントを接続する希土類金属及び金属酸化物電極[ja]
[P].
日本专利
:JP2017535050A
,2017-11-24
[2]
強誘電体ランダムアクセスメモリセル[ja]
[P].
日本专利
:JP2025526121A
,2025-08-07
[3]
抵抗変化型メモリ(RRAM)セルフィラメントの電流形成[ja]
[P].
日本专利
:JP2019527910A
,2019-10-03
[4]
形成工程不要の抵抗変化型ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2025522122A
,2025-07-10
[5]
混合金属酸化物をベースとするメモリスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2015502031A
,2015-01-19
[6]
混合金属酸化物をベースとするメモリスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP5827414B2
,2015-12-02
[7]
マンガン酸化物、マンガン酸化物を備える強誘電体メモリ素子、および強誘電体メモリ装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5846571B2
,2016-01-20
[8]
非反応性化合物電極を備えた抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2025519732A
,2025-06-26
[9]
抵抗変化型ランダムアクセスメモリデバイスにおけるフォーミング電圧を制御するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022542744A
,2022-10-07
[10]
薄膜化されたトンネル酸化物を有するスプリットゲート型メモリセルを形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7403706B2
,2023-12-22
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