抵抗変化型ランダムアクセスメモリセルにおける酸化物メモリエレメントを接続する希土類金属及び金属酸化物電極[ja]

被引:0
申请号
JP20170510341
申请日
2014-09-25
公开(公告)号
JP6642839B2
公开(公告)日
2020-02-12
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/8239
IPC分类号
H01L21/316 H01L27/105 H10N99/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[2]
強誘電体ランダムアクセスメモリセル[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025526121A ,2025-08-07
[5]
混合金属酸化物をベースとするメモリスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015502031A ,2015-01-19
[6]
混合金属酸化物をベースとするメモリスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JP5827414B2 ,2015-12-02