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非反応性化合物電極を備えた抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240573802
申请日
:
2023-06-19
公开(公告)号
:
JP2025519732A
公开(公告)日
:
2025-06-26
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10B63/00
IPC分类号
:
H10N70/00
H10N70/20
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
形成工程不要の抵抗変化型ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2025522122A
,2025-07-10
[2]
磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスのための反応性直列抵抗低減[ja]
[P].
日本专利
:JP2025539780A
,2025-12-09
[3]
強誘電体ランダムアクセスメモリセル[ja]
[P].
日本专利
:JP2025526121A
,2025-08-07
[4]
抵抗変化型ランダムアクセスメモリセルにおける酸化物メモリエレメントを接続する希土類金属及び金属酸化物電極[ja]
[P].
日本专利
:JP2017535050A
,2017-11-24
[5]
抵抗変化型ランダムアクセスメモリセルにおける酸化物メモリエレメントを接続する希土類金属及び金属酸化物電極[ja]
[P].
日本专利
:JP6642839B2
,2020-02-12
[6]
トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013069091A1
,2015-04-02
[7]
抵抗変化型メモリ(RRAM)セルフィラメントの電流形成[ja]
[P].
日本专利
:JP2019527910A
,2019-10-03
[8]
抵抗変化型ランダムアクセスメモリデバイスにおけるフォーミング電圧を制御するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022542744A
,2022-10-07
[9]
縦型電界効果トランジスタと集積化された抵抗変化型メモリ・セル[ja]
[P].
日本专利
:JP2023506944A
,2023-02-20
[10]
磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007119748A1
,2009-08-27
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