非反応性化合物電極を備えた抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子[ja]

被引:0
申请号
JP20240573802
申请日
2023-06-19
公开(公告)号
JP2025519732A
公开(公告)日
2025-06-26
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H10B63/00
IPC分类号
H10N70/00 H10N70/20
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[3]
強誘電体ランダムアクセスメモリセル[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025526121A ,2025-08-07
[10]
磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2007119748A1 ,2009-08-27