抵抗変化型ランダムアクセスメモリデバイスにおけるフォーミング電圧を制御するための方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20210570744

申请日：

2020-05-29

公开(公告)号：

JP2022542744A

公开(公告)日：

2022-10-07

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/8239

IPC分类号：

C23C16/56 H01L21/31 H01L21/316 H01L45/00 H01L49/00 H05H1/46

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共 50 条

[1]

形成工程不要の抵抗変化型ランダムアクセスメモリ（ＲＲＡＭ）素子[ja] [P].

日本专利 :JP2025522122A ,2025-07-10

[2]

磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイスのための反応性直列抵抗低減[ja] [P].

日本专利 :JP2025539780A ,2025-12-09

[3]

抵抗変化型メモリ（ＲＲＡＭ）セルフィラメントを形成するためのマルチステップ電圧[ja] [P].

日本专利 :JP2019511803A ,2019-04-25

[4]

抵抗変化型ランダムアクセスメモリセルにおける酸化物メモリエレメントを接続する希土類金属及び金属酸化物電極[ja] [P].

日本专利 :JP2017535050A ,2017-11-24

[5]

抵抗変化型ランダムアクセスメモリセルにおける酸化物メモリエレメントを接続する希土類金属及び金属酸化物電極[ja] [P].

日本专利 :JP6642839B2 ,2020-02-12

[6]

非反応性化合物電極を備えた抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子[ja] [P].

日本专利 :JP2025519732A ,2025-06-26

[7]

有機電子デバイス中にＰ層を形成するためのインク[ja] [P].

日本专利 :JP2017505531A ,2017-02-16

[8]

誘電体セラミックフィルムを有するコンデンサ素子の製造方法、誘電体セラミックフィルムを製造するためのスリップ、および誘電体セラミックフィルムを有するコンデンサ素子[ja] [P].

日本专利 :JP2025520444A ,2025-07-03

[9]

水ガラスを含有するバインダーによるモールドおよびコアの積層構築のための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024525442A ,2024-07-12

[10]

トランジスタ、電気デバイス、およびトランジスタを生産するための方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024530367A ,2024-08-19

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