学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
強誘電体ランダムアクセスメモリセル[ja]
被引:0
申请号
:
JP20250507781
申请日
:
2023-08-15
公开(公告)号
:
JP2025526121A
公开(公告)日
:
2025-08-07
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10B51/30
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
強誘電体ランダムアクセスメモリ用のハイブリッド基準発生[ja]
[P].
日本专利
:JP2019505945A
,2019-02-28
[2]
メモリセル及びメモリセルアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2025172973A
,2025-11-26
[3]
磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007119748A1
,2009-08-27
[4]
ガラスセラミックス誘電体[ja]
[P].
FU JIE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
OHARA KK
OHARA KK
FU JIE
;
SHIMAMURA KEISUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
OHARA KK
OHARA KK
SHIMAMURA KEISUKE
.
日本专利
:JP2024014804A
,2024-02-01
[5]
形成工程不要の抵抗変化型ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子[ja]
[P].
日本专利
:JP2025522122A
,2025-07-10
[6]
強誘電体酸化物メモリデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2020505790A
,2020-02-20
[7]
抵抗スイッチングメモリセル[ja]
[P].
日本专利
:JP2019509619A
,2019-04-04
[8]
メモリセルおよびメモリセルの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015508226A
,2015-03-16
[9]
強誘電体薄膜の形成方法および強誘電体メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008004571A1
,2009-12-03
[10]
薄膜強誘電体トランジスタの3次元NORメモリストリングアレイ[ja]
[P].
日本专利
:JP2024532161A
,2024-09-05
←
1
2
3
4
5
→