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薄膜強誘電体トランジスタの３次元ＮＯＲメモリストリングアレイ[ja]
被引：0
申请号：
JP20240509426
申请日：
2022-08-04
公开(公告)号：
JP2024532161A
公开(公告)日：
2024-09-05
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H10B51/30
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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