薄膜トランジスタアレイ装置、薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20110514973

申请日：

2010-09-21

公开(公告)号：

JPWO2012038999A1

公开(公告)日：

2014-02-03

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

G09F9/30

IPC分类号：

G09F9/00 H01L27/32 H01L51/50 H05B33/04 H05B33/06 H05B33/10 H05B33/22 H05B33/26

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

共 50 条

[1]

薄膜トランジスタアレイ装置、薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012039000A1 ,2014-02-03

[2]

薄膜トランジスタ、トランジスタアレイ基板およびトランジスタアレイ基板の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025535682A ,2025-10-28

[3]

薄膜トランジスタアレイ基板[ja] [P].

日本专利 :JP2017531322A ,2017-10-19

[4]

酸化物薄膜トランジスタアレイの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5969995B2 ,2016-08-17

[5]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

SAKAI TOSHIHIKO ;

HIGASHI DAISUKE ;

FUJIWARA MASAYOSHI .

日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14

[6]

薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010047326A1 ,2012-03-22

[7]

薄膜トランジスタアレイパネル[ja] [P].

日本专利 :JP2019518322A ,2019-06-27

[8]

薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010106920A1 ,2012-09-20

[9]

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013141197A1 ,2015-08-03

[10]

薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023542562A ,2023-10-11

← 1 2 3 4 5 →