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磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20080510966
申请日：
2007-04-11
公开(公告)号：
JPWO2007119748A1
公开(公告)日：
2009-08-27
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/8246
IPC分类号：
H10N50/10
H01F10/16
H01F10/32
H01L27/105
H10N50/01
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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