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薄膜化されたトンネル酸化物を有するスプリットゲート型メモリセルを形成する方法[ja]
被引：0
申请号：
JP20230500044
申请日：
2021-02-23
公开(公告)号：
JP7403706B2
公开(公告)日：
2023-12-22
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L21/3065
H01L29/788
H01L29/792
H10B41/30
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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