共 50 条
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最適化されたゲート酸化物厚さを有するメモリデバイスの作成[ja]
被引：0
申请号：
JP20170210692
申请日：
2017-10-31
公开(公告)号：
JP6932876B2
公开(公告)日：
2021-09-08
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L21/8234
IPC分类号：
H01L21/308
H01L21/316
H01L21/82
H01L27/088
H01L27/10
H10B20/00
H10B69/00
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
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