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安定化された金属酸化物層を有する光電デバイスの形成方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20140547308
申请日
:
2012-12-07
公开(公告)号
:
JP6181665B2
公开(公告)日
:
2017-08-16
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L31/0224
IPC分类号
:
H01L31/0749
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
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共 50 条
[1]
安定化された金属酸化物層を有する光電デバイスの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015507353A
,2015-03-05
[2]
DRAMデバイス、DRAMデバイスを形成する方法及びゲート酸化物層を形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7176951B2
,2022-11-22
[3]
最適化されたゲート酸化物厚さを有するメモリデバイスの作成[ja]
[P].
日本专利
:JP6932876B2
,2021-09-08
[4]
有機電子デバイス中にP層を形成するためのインク[ja]
[P].
日本专利
:JP2017505531A
,2017-02-16
[5]
半導体デバイス上に共形酸化物層を形成するための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6141356B2
,2017-06-07
[6]
半導体デバイス用の、選択された分極を有する誘電体材料を形成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023538535A
,2023-09-08
[7]
パターン化されたリチウム系遷移金属酸化物を有するディスプレイデバイスを加工する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022524333A
,2022-05-02
[8]
パターン化されたリチウム系遷移金属酸化物を有するディスプレイデバイスを加工する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7766491B2
,2025-11-10
[9]
選択された半絶縁性区域を有するIII族酸化物デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2025526634A
,2025-08-15
[10]
金属酸化物含有層を含むデバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2020522448A
,2020-07-30
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