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ゲート酸化物の漏れを抑えたリプレースメントゲートトランジスタ[ja]
被引:0
申请号
:
JP20130013696
申请日
:
2013-01-28
公开(公告)号
:
JP6076755B2
公开(公告)日
:
2017-02-08
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L29/423
H01L29/49
H01L29/78
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
低ゲート酸化物トランジスタを用いた広電圧ゲートドライバ[ja]
[P].
日本专利
:JP2024545412A
,2024-12-06
[2]
ランタン酸化物ターゲットの保管方法及び真空密封したランタン酸化物ターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011062003A1
,2013-04-04
[3]
トランジスタの製造方法、トランジスタ及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010092810A1
,2012-08-16
[4]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6212869B2
,2017-10-18
[5]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6957815B2
,2021-11-02
[6]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6859837B2
,2021-04-14
[7]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6961925B2
,2021-11-05
[8]
酸化物スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JP6850981B2
,2021-03-31
[9]
酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7028268B2
,2022-03-02
[10]
酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6414165B2
,2018-10-31
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