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トランジスタの製造方法、トランジスタ及びスパッタリングターゲット[ja]

被引：0
申请号：
JP20100550462
申请日：
2010-02-10
公开(公告)号：
JPWO2010092810A1
公开(公告)日：
2012-08-16
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H01L29/786
IPC分类号：
H01L21/336
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020066114A1 ,2021-10-21
[2]
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2020261748A1 ,2021-09-13
[3]
酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及びスパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JP6928333B2 ,2021-09-01
[4]
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット[ja] [P]. 
日本专利 :JP6557750B1 ,2019-08-07
[5]
トランジスタ及びトランジスタの作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022109267A ,2022-07-27
[6]
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット材の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6996019B1 ,2022-01-17
[7]
スパッタリングターゲット材、及びスパッタリングターゲット材の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022165884A ,2022-11-01
[8]
薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
SAKAI TOSHIHIKO ;
HIGASHI DAISUKE ;
FUJIWARA MASAYOSHI .
日本专利 :JP2025074478A ,2025-05-14
[9]
薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010047326A1 ,2012-03-22
[10]
薄膜トランジスタの製造方法、スパッタリングターゲットおよび焼結体[ja] [P]. 
OCHI MOTOTAKA .
日本专利 :JP2024154366A ,2024-10-30
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