薄膜トランジスタの製造方法、スパッタリングターゲットおよび焼結体[ja]

被引：0

申请号：

JP20240016439

申请日：

2024-02-06

公开(公告)号：

JP2024154366A

公开(公告)日：

2024-10-30

发明(设计)人：

OCHI MOTOTAKA

申请人：

KOBELCO KAKEN KK

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/203 H01L21/318 H01L21/336 H10K50/00 H10K59/12

代理机构：

代理人：

法律状态：

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日

法律状态

法律状态信息

共 50 条

[1]

トランジスタの製造方法、トランジスタ及びスパッタリングターゲット[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010092810A1 ,2012-08-16

[2]

酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020170950A1 ,2021-12-23

[3]

酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7359836B2 ,2023-10-11

[4]

酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7456992B2 ,2024-03-27

[5]

酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020170949A1 ,2021-12-23

[6]

焼結体スパッタリングターゲット[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012086388A1 ,2014-05-22

[7]

スパッタリングターゲット、およびスパッタリングターゲットの作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

SATO YUICHI ;

ISAKA FUMITO ;

ONO TOSHIKAZU .

日本专利 :JP2024007429A ,2024-01-18

[8]

スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020066114A1 ,2021-10-21

[9]

スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5812217B1 ,2015-11-11

[10]

スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020261748A1 ,2021-09-13

← 1 2 3 4 5 →